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才径谷 >“集电极”标签

若使三极管处于放大状态,要求()

A、发射结反偏,集电极正偏

B、发射极正偏,集电极反偏

C、发射极正偏,集电极正偏

D、发射极反偏,集电极反偏

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在放大电路中测得某锗管电位如图所示,则(1)、(2)、(3)脚分别为
A.基极,集电极,发射极
B.发射极,基极,集电极
C.集电极,基极,发射极
D.基极,发射极,集电极

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晶体三极管工作在放大状态的条件是()。
  • A发射极反偏,集电极正偏
  • B发射极反偏,集电极反偏
  • C发射极正偏,集电极正偏
  • D发射极正偏,集电极反偏

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晶体三极管工作在放大状态的条件是()。(单选题)
  • A发射极反偏,集电极正偏
  • B发射极反偏,集电极反偏
  • C发射极正偏,集电极正偏
  • D发射极正偏,集电极反偏

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[单选题,3.1分]在放大电路中测得某锗管电位如图所示,则(1)、(2)、(3)脚分别为
A.基极,集电极,发射极
B.发射极,基极,集电极
C.集电极,基极,发射极
D.基极,发射极,集电极

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为了使PNP型晶体三极管工作于饱和区,必须保证()。

A、发射极正偏,集电极正偏

B、发射极正偏,集电极反偏

C、发射极正偏,集电极零偏

D、发射极反偏,集电极正偏

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某一谐振功率放大器的晶体管的饱和临界线跨导gcr=0.8S,选定集电极电源电压VCC=24V,通角θc=70°,集电极电流脉冲的振幅ICM=2.2A,并工作于临界工作状态。试求:集电极电源电压VCC提供的功率P=、集电极效率ηc、谐振阻抗Rp、输出功率Po和集电极耗散功率Pc。

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NPN型三极管放大导通必须满足的条件:()。

A、基极加正向电压,集电极加反向电压

B、基极加反向电压,集电极加正向电压

C、发射极加反向电压,集电极加正向电压

D、发射极加正向电压,集电极加反向电压

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NPN三极管放大导通必须满足这样的条件,即()。

A、发射极加正向电压,集电极加反向电压

B、发射极加反向电压,集电极加正向电压

C、基极加反向电压,集电极加正向电压

D、基极加正向电压,集电极加反向电压

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在某一晶体管谐振功率放大器中,已知集电极电源电压VCC=24V,集电极脉冲电流中的直流分量IC0=200mA,输出功率Po=4W,电压利用系数ξ=0.95。试求:集电极电源电压VCC提供的功率P=、集电极效率ηc、谐振阻抗Rp、集电极脉冲电流中的基波分量振幅Ic1m和通角θc。

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共射极放大电路的电源电压是通过集电极电阻加到集-射极之间的,集电极的静态工作点电压等于电源电压减去集电极电阻上的电压。()

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[多选]三极管的主要参数有()。
A.反向饱和电流
B.穿透电流
C.集电极最大允许电流
D.集电极-发射极击穿电压
E.集电极最大允许耗散功率

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某高频功率放大器工作于临界状态,输出功率Po=3W,集电极电源电压VCC=24V,通角θc=76°。已知晶体管的饱和临界线跨导gcr=0.5S,晶体管转移特性曲线斜率gc=0.2S,导通电压Ubz=0.6V。试求:集电极电流脉冲的振幅ICM、集电极脉冲电流中的直流分量IC0、集电极脉冲电流中的基波分量振幅Ic1m、集电极电源电压VCC提供的功率P=集电极效率ηc、谐振阻抗Rp、基极电源电压VBB和输入电压信号ub(t)的振幅Ubm。

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如果晶体三极管的发射结正偏,集电结反偏,当基极电流增大时,将使晶体三极管()。

A、集电极电流减小

B、集电极电压Uc上升

C、集电极电流增大

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三极管的极限参数主要有()。

A、集电极最大允许电流ICM

B、集-射极击穿电压(基极开路)UCEO

C、集电极-基极反向饱和电流ICEO

D、穿透电流ICEO

E、集电极最大允许耗散功率PCN

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若晶体三极管的集电结反偏、发射结正偏则当基极电流减小时,使该三极管:()。

A、集电极电流减小B、集电极与发射极电压VCE上升C、集电极电流增大

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谐振功率放大器工作于临界状态,集电极电源电压VCC=18V,晶体管的饱和临界线跨导gcr=0.6S,通角θc=90°。若输出功率Po=1.8W,试计算:集电极电源电压VCC提供的功率P=、集电极效率ηc、谐振阻抗Rp和集电极耗散功率Pc。若通角θc减小到80°,它们又为何值?

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